はじめに
ケミカル汚染とよばれる揮発性不純物が、半導体デバイス製造工程において、様々な悪影響を及ぼすことが明らかとなってきた。
FOUP（Front Opening Universal Pod）の導入によって、保管中のウェーハは外部からの粒子汚染から保護されるが、揮発性不純物による汚染に対する特別な保護は与えられていない。
そこで、FOUPストッカー内部をCDAまたはN2で常時パージし、ウェーハ表面の揮発性不純物を離脱させる方法が採用されはじめるようになった。
このパージガスの精製を、POU（Point of Use）近辺で行なうことにより、ウェーハ表面のケミカル清浄度を著しく向上させることが可能である。
事例
パージガスとして、FOUPストッカーに供給されるN2ガスを、弊社ガス精製器を用いて純化した場合、ウェーハ表面吸着有機物の低減に、どの程度効果があるのか、大手半導体デバイスメーカー様にご評価いただいた。
ガス精製器：チャコレットガスピュリファイヤー（製品型番：LP2SACSS2）
ウェーハ保管期間：１週間
写真はFOUPパージガスを精製する「チャコレットガスピューリファイヤー」
まとめ
ウェーハ表面の清浄性を維持するためには、FOUPストッカー内部を清浄なガスによってパージすることが望ましい。
今回、精製器を使用することによるパージガスの純化が、ウェーハ表面吸着有機物の低減に効果的であることが確認された。
特に、デバイス特性へ与える影響が大きいとされる中沸点及び高沸点有機物の吸着量が、著しく抑制された。
以上