EV およびパワー IC 用シリコンカーバイドの先進的な CMP について

ホワイトペーパー

ガソリンを燃料とする自動車から電気自動車 (EV) への移行は、数年前に予測したペースよりも早いペースで進んでいます。バッテリーも、より高い電圧で動作するようになりました。このトレンドにより、パワー IC を製造しているメーカーは高温、高周波の動作環境に耐えるように設計されたチップをより大量に製造することを求められています。シリコン基板からシリコンカーバイド (SiC) および窒化ガリウム (GaN) への移行がその要求に対する答えの一つになります。

特に価値のあるソリューションは、SiC 材料の使用効率の改善と保有コスト (cost of owernership：COO) の削減です｡SiC ウェーハの加工は、活性層を成膜する前にその表面状態を必要な表面特性にするために行われる研削、ラッピング、研磨がその最初の加工工程になります｡スラリーはこれらの工程で使われるものであり、それゆえにスラリーは非常に重要であると言えます。

化学機械平坦化 (Chemical Mechanical Planarization：CMP) を SiC ウェーハに対して最適化することにより、より高いスループットや歩留まりを得ることができます。その結果、サプライチェーンにおける課題や COO を削減することができます。

このホワイトペーパーでは、SiC ウェーハの CMP に特化した課題について説明し、SiC スラリーの性能を向上させ、パワー IC メーカーのニーズを満たすソリューションを提案します。