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  • 配線技術
  • 業種
PlanarClean® AG-W100 (プラナークリーンAG-W100) 洗浄液は、最先端のプロセスにおいてワンステップで優れた洗浄力を発揮するだけでなく、下層の薄膜や材料も保護します。特許取得済みの配合により、信頼性と歩留まりの改善、腐食・ディフェクト発生の最小化、処理待ち時間(Qタイム)の増加などで高い性能を発揮します。
配線技術
  • W
テクノロジーノード(nm)
  • 10
  • 7
  • 5
産業
  • 半導体
プロセス
  • CMP後
ESC 784 は、銅配線工程における疎水性膜の洗浄用に特化して開発された費用対効果に優れた洗浄液です。この洗浄液はCMPプロセスで生成される汚染物質を除去する高pH組成を活用しており、同時に銅基板の腐食も防ぎます。
配線技術
  • Cu
  • Al
  • WLP
テクノロジーノード(nm)
  • 130
  • 90
  • 65
  • 45
  • 40
  • 32
  • 28
産業
  • 半導体
プロセス
  • CMP後
PlanarClean® AG (プラナークリーンAG) 配合薬液は、最先端のプロセスにおいて優れた洗浄力を発揮するだけでなく、下層の薄膜や材料を保護します。特許取得済みの配合により、信頼性と歩留まりの改善、腐食・ディフェクト発生の最小化、処理待ち時間 (Qタイム) の増加などで高い性能を発揮します。
配線技術
  • Cu
  • CO
テクノロジーノード(nm)
  • 28
  • 20
  • 16
  • 14
  • 10
  • 7
  • 5
産業
  • 半導体
プロセス
  • CMP後
ESC T794は、銅配線工程における疎水性膜の洗浄用に特化して開発された費用対効果に優れた洗浄液です。この洗浄液はCMPプロセスで生成される汚染物質を除去する高pH組成を活用しており、同時に銅基板の腐食も防ぎます。
配線技術
  • Cu
テクノロジーノード(nm)
  • 130
  • 90
  • 65
  • 45
  • 40
  • 32
  • 28
産業
  • 半導体
プロセス
  • CMP後
PlanarClean® (プラナークリーン) は、バリアCMP工程の後に使用される次世代のCMP後の銅配線用洗浄用製品です。プラナークリーンは、高い生産性を実現するインテグリスの試験・開発プロセスを使用して配合されたものであり、洗浄プロセス中および洗浄プロセス後の銅腐食の防止に非常に効果のある強力な化学物質を含む水溶液として提供されます。
配線技術
  • Cu
テクノロジーノード(nm)
  • 130
  • 90
  • 65
  • 45
  • 40
  • 32
  • 28
  • 20
  • 16/14
  • 10
  • 7
  • 5
産業
  • 半導体
プロセス
  • CMP後
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