半導体デバイスの更なる集積化に伴い、多層配線構造が導入されています。 CMPは、多層配線構造に必要とされる層を平坦化させるプロセスです。その名が示すように、CMPは化学反応と機械的な研磨の複合作用で、対象となるフィルムによってスラリー（研磨剤）の特性が異なります。 一方で、CMPスラリーの導入はスクラッチ欠陥などのウェーハ欠陥増加の危険性をも伴います。 インテグリスはCMPスラリーのろ過、移送、流量制御を通じてCMPソリューションを提供します。
CMP後の表面クリーニング
差圧式流量計測技術とバルブ技術を融合した先進の流量制御
気泡の影響を受けない差圧式の流量計測
1/4"～1"のオリフィスサイズを揃えたダイヤフラムバルブ