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  • エレメント
  • 業種
4MS
UltraPur™ (ウルトラピュア) 4MS は、0.25 µm 未満のIC配線でのLow-K層間絶縁膜の化学気相成長プロセスに使用されるプリカーサーです。
CAS番号
  • 75-76-3
化学式
  • Si(CH3)4
エレメント
  • テトラメチルシラン
産業
  • 半導体
HCDS HPはCVD、ALD、LPCVD SiNおよびSSPDプロセスに使用される液体プリカーサーです。
CAS番号
  • 13465-77-5
化学式
  • Cl6Si2
エレメント
  • ヘキサクロロジシラン
産業
  • 半導体
UltraPur™ (ウルトラピュア) TDMATはCVDおよびALDプロセスに使用されるプリカーサーです。
CAS番号
  • 3275-24-9
化学式
  • C8H24N4Ti
エレメント
  • テトラキス(ジメチルアミド)チタン
産業
  • 半導体
  • フラットパネルディスプレイ
UltraPur™ (ウルトラピュア) HfCl4はALDプロセスに使用されるプリカーサーです。
CAS番号
  • 13499-05-3
化学式
  • HfCl4
エレメント
  • 四塩化ハフニウム
産業
  • 半導体
UltraPur™ (ウルトラピュア) TEBは、低圧プラズマCVD(PECVD) プロセスによるシリコン酸化膜へのドーピングでのホウ素源として広く使用される有機ホウ素エステル化合物です。
CAS番号
  • 273723-18-5
化学式
  • C6H15BO3
エレメント
  • 11B濃縮ホウ酸トリエチル
産業
  • 半導体
TEB
UltraPur™ (ウルトラピュア) TEBはCVDプロセスに使用されるプリカーサーです。
CAS番号
  • 150-46-9
化学式
  • C6H15BO3
エレメント
  • ホウ酸トリエチル
産業
  • 半導体
UltraPur™ (ウルトラピュア) TEOSはCVDプロセスに使用される液体プリカーサーです。
CAS番号
  • 78-10-4
化学式
  • SiC8H20O4
エレメント
  • オルトケイ酸テトラエチル
産業
  • 半導体
TMB
Ultrapur™ (ウルトラピュア) TMBは低圧プラズマCVDプロセスによるシリコン酸化膜へのドーピングで使用されるプリカーサーです。
CAS番号
  • 121-43-7
化学式
  • C3H9BO3
エレメント
  • ホウ酸トリメチル
産業
  • 半導体
UltraPur™ (ウルトラピュア) TEPOはシリコン酸化膜へのドーピングで使用される液体プリカーサーです。
CAS番号
  • 78-40-0
化学式
  • C6H15O4P
エレメント
  • リン酸トリエチル
産業
  • 半導体
TMP
UltraPur™ (ウルトラピュア) TMPはシリコン酸化膜へのドーピングで使用されるプリカーサーです。
CAS番号
  • 121-45-9
化学式
  • C3H9O3/P
エレメント
  • 亜リン酸トリメチル
産業
  • 半導体
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