シリコンカーバイド (SiC) 用スラリー
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- シリコンカーバイド (SiC) の CMP / ラッピング
- すべての表面タイプ (ラッピング、機械研磨、粗研磨) をエピレディ状態に研磨
仕様書
スラリー | プロセス | 最適な研磨面 | 主な機能 | 研磨レート (MRR) |
バッチ式装置用スラリー、AF シリーズ、SC1T シリーズ | バッチ用 CMP | Si 面 | バッチ式装置用 CMP スラリーの業界標準です。 バッチ式研磨装置向けにコスト オブ オーナーシップ を最小限に抑つつエピレディ面の品質が実現できるよう最適化されています。 | 1.5 ~ 2.5 µm/hr |
枚葉式ウェーハ用 CMP スラリー、CS GS シリーズ、SC200 シリーズ | 枚葉ウェーハ用 CMP | Si 面 | 低欠陥でエピレディな表面仕上げを実現する超高速研磨が可能なスラリーです。 6 インチおよび 8 インチ SiC 基板用のさまざまな CMP プラットフォームにおいてコスト オブ オーナーシップで市場をリードしている枚葉式研磨装置に対して最適化されています。 | 8 ~ 10 µm/hr |
Poly SiC 用スラリー、SC3000 シリーズ | Poly SiC 基板向けバルクおよび仕上げ用 CMP | Poly SiC | 特別に設計された高度な粒子と配合薬品で、Poly SiC 基板における高い研磨レートと最小の表面粗さを提供します。 | 2 ~ 5 µm/hr |
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