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  • 配線技術
  • 業種
ST-44ポジ型レジスト剥離液は、有機溶剤混合液をベースに配合された、初めてのポジ型フォトレジスト剥離液です。金属および金属合金の表面(電解効果やガルバニック効果によって腐食しやすい)からの剥離が難しいポジ型フォトレジストを効果的に除去する目的で開発されています。
配線技術
  • Al
テクノロジーノード(nm)
  • 250, 130, 90, 65
産業
  • Semiconductor
プロセス
  • Post CMP
ST-22ポジ型レジスト剥離液は、有機溶剤混合液をベースに配合されたポジ型フォトレジスト剥離液で、剥離が難しいポジ型フォトレジストを効果的に除去する目的で開発されています。ST-22は水溶性で、フェノールや塩素化炭化水素その他の有害物質を含んでいません。また、ST-22は廃棄処分しやすい配合になっています。
配線技術
  • Al
テクノロジーノード(nm)
  • 250, 130, 90, 65
産業
  • Semiconductor
プロセス
  • Post CMP
ST-33ポジ型レジスト剥離液は、有機溶剤をベースに配合されており、腐食しやすい基板からポジ式フォトレジストを効果的に除去する目的で開発されています。独自に調合されたST-33は、GaAsとその他のIII-V金属および銅の腐食性エッチングを除去します。
配線技術
  • Al
テクノロジーノード(nm)
  • 250, 130, 90, 65
産業
  • Semiconductor
プロセス
  • Post CMP
インテグリスのST-200ソリューションシリーズは、小さな形状のデバイスから強く酸化されたプラズマエッチング残留物を除去するように配合されています。この製品は、エチレングリコールエーテルをベースとする溶剤、N-メチルピロリドン、反応性の非常に高いヒドロキシルアミンなどのSARAで定められた報告すべき成分は含んでいません。
配線技術
  • Al
テクノロジーノード(nm)
  • 130, 90, 65
産業
  • Semiconductor
プロセス
  • Post CMP
ST-28Mプラズマ残留物剥離剤は、高エネルギー密度プラズマエッチング装置や小さな形状のデバイスで発生しやすい残留物を除去する目的で配合されています。ST-28Mは有機残留物、無機残留物いずれの除去にも使用できますが、先進の低温O2アッシングプロセス後の残留物の除去に特に効果を発揮します。
配線技術
  • Al
テクノロジーノード(nm)
  • 250, 130, 90, 65
産業
  • Semiconductor
プロセス
  • Post CMP
ST-26S剥離液は、反応性の高いプラズマエッチングやアッシングで形成される残留金属酸化物やその他の無機残留物の除去に優れた効果を発揮する錯化剤を含んでいます。この独自の剥離液は強く酸化された残留物に効果的に浸透し、残留物が基板に再付着する前に速やかに除去します。極めて低い使用粘度で腐食を低減する成分が配合されている ST-26S は、自動フォトレジスト剥離装置での使用に理想的です。
配線技術
  • Al
テクノロジーノード(nm)
  • 250, 130, 90, 65
産業
  • Semiconductor
プロセス
  • Post CMP
ST250™ Cu残留物剥離液は、銅、先進のバリア層、エッチストップ材料に対して優れた適合性を発揮するように配合されています。
配線技術
  • Cu, WLP
テクノロジーノード(nm)
  • 130, 90, 65, 45, 40, 28, 16, 10
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