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2015/06/01

SUPERSiC® Silicon Carbide Materials
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  • 業種
  • プロセス
  • バルク密度、g/cm3
  • 曲げ強度、MPa
  • 熱伝導率、W/m-K
SUPERSiCは、コンバージョン法によるベースグレードのシリコンカーバイドです。この材料は、高温および大気プロセスと過酷なプロセス環境に理想的です。
産業
  • 半導体
  • 工業
  • 航空宇宙
プロセス
  • 成膜
  • イオン注入
  • ドライエッチング
  • 光学システム
見かけ密度、g/cm3
  • 3.13 (0.113)
かさ密度、g/cm3
  • 2.53 (0.092)
SUPERSiCは、表面を75 µmの化学気相成長(CVD) SiCでコーティングしています。
産業
  • LED
  • 半導体
  • 工業
プロセス
  • 成膜
  • エピタキシー
見かけ密度、g/cm3
  • 3.15 (0.114)
かさ密度、g/cm3
  • 2.55 (0.092)
SUPERSiC®-3CXは、SUPERSiCの表面をさらに75 µmのCVD SiCで2回コーティングしています。
産業
  • 半導体
  • 航空宇宙
プロセス
  • 成膜
  • 光学システム
見かけ密度、g/cm3
  • 3.15 (0.114)
かさ密度、g/cm3
  • 2.55 (0.092)
SUPERSiC-Hは、非金属性不純物を低減するための追加処理を施した、コンバージョン法によるベースグレードのシリコンカーバイドです。この材料は、高温および大気プロセスと過酷なプロセス環境に理想的です。
産業
  • 半導体
プロセス
  • ドライエッチング
見かけ密度、g/cm3
  • 3.15 (0.114)
かさ密度、g/cm3
  • 2.53 (0.092)
SUPERSiCはシリコンを含浸させており、200 µmのCVDシリコンカーバイドでコーティングしています。
産業
  • 航空宇宙
プロセス
  • 光学システム
見かけ密度、g/cm3
  • 3.13 (0.113)
かさ密度、g/cm3
  • 2.95 (0.107)
SUPERSiC®は、表面を75 µmの化学気相成長(CVD) SiCでコーティングしています。
産業
  • 航空宇宙
プロセス
  • 光学システム
見かけ密度、g/cm3
  • 3.13 (0.113)
かさ密度、g/cm3
  • 2.95 (0.107)
SUPERSiC®は、ベース基板の空隙にSiCを追加する緻密化プロセスによって形成します。
産業
  • 航空宇宙
プロセス
  • 光学システム
見かけ密度、g/cm3
  • 3.13 (0.113)
かさ密度、g/cm3
  • 3.00 (0.109)
高純度シリコンを含浸させたSUPERSiCです。
産業
  • 航空宇宙
プロセス
  • 光学システム
見かけ密度、g/cm3
  • 3.13 (0.113)
かさ密度、g/cm3
  • 2.93 (0.106)
グラファイトの外層はSiCに部分的に変換されています。グラファイトを750 µmのSUPERSiC®含浸層でコーティングしています。
産業
  • 半導体
プロセス
  • イオン注入
見かけ密度、g/cm3
  • 3.13 (0.113)
かさ密度、g/cm3
  • 2.18 (0.079)
グラファイトの外層はSiCに部分的に変換されています。グラファイトを225 µmのSUPERSiC含浸層でコーティングしています。
産業
  • 半導体
プロセス
  • イオン注入
見かけ密度、g/cm3
  • 3.13 (0.113)
かさ密度、g/cm3
  • 2.07 (0.075)
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